游客发表
随着咱们谋求更强盛、文读妄想更小型的懂碳电源处置妄想 ,碳化硅 (SiC) 等宽禁带 (WBG) 质料变患上越来越盛行 ,化硅画特意是热规在一些具备挑战性的运用规模,如汽车驱动零星 、文读妄想直流快捷充电、懂碳储能电站 、化硅画不不断电源以及太阳能发电 。热规
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这些运用有一点颇为相似,文读妄想它们都需要逆变器(图 1)。懂碳它们还需要松散且高能效的化硅画轻量级处置妄想 。就汽车而言,热规轻量化是文读妄想为了削减续航里程 ,而在太阳能运用中,懂碳这是化硅画为了限度太阳能配置装备部署在屋顶上的份量。
半导体斲丧
抉择逆变器功能的主要因素之一是所运用的半导体器件(IGBT / MOSFET) 。这些器件展现出两种主要规范的斲丧:导通斲丧以及开关斲丧。导通斲丧与激进形态下的导通电阻 (RDS(ON)) 成 正比,合计措施为漏极电流 (ID) 与漏源电压 (VDS) 的乘积。
将 SiC MOSFET 的 VDS 特色与相似 Si IGBT 的特色妨碍比力,可能审核到 ,对于给定电 流,SiC 器件的 VDS 个别较低。还值患上留意的是 ,与 IGBT 差距 ,SiC MOSFET 中的 VDS 与 ID成正比,这象征着它在低电流下的导通斲丧会清晰飞腾。这在高功率运用(好比汽车以及太阳能)中颇为紧张 ,由于它象征着在这些运用中 ,逆变器在其使命性命周期的大部份光阴处于小功率工 况,功能会有清晰后退,斲丧更低。
驱动斲丧与开关器件所需的栅极电荷 (Qg) 成正比。这是每一个开关周期都需要的 ,使其与开关频率成正比,而且 Si MOSFET 比 SiC 器件更大 。妄想职员热衷于后退开关频率以减小磁性元件的尺寸、份量以及老本,这象征着运用 SiC 器件会带来清晰优势 。
热规画影响
电源零星中的所有斲丧都市酿成热量 ,这会影响元件密度 ,从而削减终端运用的尺寸。发烧组件不光会飞腾其自己的外部温度,还会飞腾全部运用的情景温度。为确保温升不会限度运行致使导致组件倾向 ,需要在妄想中妨碍热规画。
SiC MOSFET 可能在比硅器件更高的频率以及温度下运行。由于它们可能接受更高的使命温度,因此削减了对于热规画的需要